STF11N60M2-EP 与 R8010ANX 区别
| 型号 | STF11N60M2-EP | R8010ANX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF11N60M2-EP | A3-R8010ANX |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 10.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 560mΩ |
| 上升时间 | - | 54ns |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 40W |
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC |
| 栅极电压Vgs | - | 3V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 97ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 2.2S |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 10A |
| 系列 | - | R8010ANX |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 15.4mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 25ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 43ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1750pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 62nC @ 10V |
| 高度 | - | 4.8mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 165 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF11N60M2-EP | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
暂无价格 | 165 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
￥60.4075
|
125 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
￥20.9152
|
100 | 对比 | ||||||||||||||
|
AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
|
IPA70R600P7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ 700V 8.5A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
