STF28N60DM2 与 R6030MNX 区别
| 型号 | STF28N60DM2 | R6030MNX | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF28N60DM2 | A33-R6030MNX | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 150mΩ@15A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 90W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220FP | TO-220-3 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 30A(Tc) | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2180pF @ 25V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 43nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 5 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF28N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
R6030MNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc) |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
R6030MNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc) |
￥47.73
|
500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
R6020ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 50W(Tc) 196mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥25.9989
|
500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
R6020ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 50W(Tc) 196mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 122 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
R6030MNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc) |
￥47.73
|
5 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
