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STF33N60M2  与  IPA65R110CFD  区别

型号 STF33N60M2 IPA65R110CFD
唯样编号 A-STF33N60M2 A-IPA65R110CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 34.7W
Qg-栅极电荷 - 118nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 68nS
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP -
连续漏极电流Id - 31.2A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10.65mm
下降时间 - 6nS
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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