STF35N60DM2 与 R6030ENX 区别
| 型号 | STF35N60DM2 | R6030ENX | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF35N60DM2 | A33-R6030ENX | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 600V, 30A, 0.13 OHM, TO-220FP | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 40W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220FP | TO-220FM | ||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 30A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2100pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 85nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 130mΩ@14.5A,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 49 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STF35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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R6030ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 40W(Tc) 150°C(TJ) TO-220FM N-Channel 600V 30A 130mΩ@14.5A,10V |
暂无价格 | 144 | 对比 | ||||||||||
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R6030ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 40W(Tc) 150°C(TJ) TO-220FM N-Channel 600V 30A 130mΩ@14.5A,10V |
￥33.9888
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49 | 对比 | ||||||||||
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R6030ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 40W(Tc) 150°C(TJ) TO-220FM N-Channel 600V 30A 130mΩ@14.5A,10V |
￥19.7774
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0 | 对比 | ||||||||||
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R6035VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 17A 0.095Ω@15V 81W |
￥50.7554
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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R6035VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 17A 0.095Ω@15V 81W |
￥54.7276
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1,000 | 对比 |
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