STN3NF06L 与 IRLL014NTRPBF 区别
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规格信息
型号	STN3NF06L	IRLL014NTRPBF
唯样编号	A-STN3NF06L	A-IRLL014NTRPBF
制造商	STMicroelectronics	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表	STN3NF06L.pdf	IRLL014NTRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@1.5A,10V	140mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds	60V	55V
Pd-功率耗散(Max)	3.3W(Tc)	1W(Ta)
栅极电压Vgs	±16V	±16V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	10V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOT-223	SOT-223
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	4A	2.8A
系列	STripFET™ II	HEXFET®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	25V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.8V @ 250µA	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	340pF @ 25V	230pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	9nC @ 5V	14nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V	4V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	230pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	14nC @ 10V
库存与单价
库存	0	2,500
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	0	当前型号
IRLL014NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223	暂无价格	2,500	对比
IRFL024ZTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223	暂无价格	2,500	对比
ZXMN6A09GTA	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A	暂无价格	0	对比
IRLL024NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	65mΩ@3.1A,10V ±16V SOT-223 -55°C~150°C 3.1A 55V 2.1W N-Channel	暂无价格	0	对比
IRFL014NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	160mΩ@1.9A,10V ±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 2.7A SOT-223	暂无价格	0	对比