STN4NF03L 与 IRLL3303TRPBF 区别
| 型号 | STN4NF03L | IRLL3303TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STN4NF03L | A-IRLL3303TRPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | Single N-Channel 55 V 2.1 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 31mΩ@4.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 6.5A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 840pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 840pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN4NF03L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRLL3303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 31mΩ@4.6A,10V N-Channel 30V 6.5A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRLL2703TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 45mΩ@3.9A,10V N-Channel 30V 5.5A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLL3303PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) 31mΩ@4.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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