STP140NF75 与 IRFB3307PBF 区别
| 型号 | STP140NF75 | IRFB3307PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP140NF75 | A-IRFB3307PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5mΩ@70A,10V | 6.3mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 75V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 310W(Tc) | 200W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | 120A |
| 系列 | STripFET™ III | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5000pF @ 25V | 5150pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 218nC @ 10V | 180nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5150pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 180nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP140NF75 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AOT470 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFB7546PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.3mΩ@45A,10V N-Channel 60V 75A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB3207ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) 4.1mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 170A 75V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN005-75P,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB3307PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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