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STP32N65M5  与  SIHP24N65E-GE3  区别

型号 STP32N65M5 SIHP24N65E-GE3
唯样编号 A-STP32N65M5 A3t-SIHP24N65E-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 通孔 N 通道 650 V 24A(Tc) 150W(Tc) TO-220 E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id - 24A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 145 mOhms @ 12A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 250W
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP32N65M5 STMicro  数据手册 MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IPP65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

650V 31.2A 110mΩ 20V 277.8W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SIHP24N65E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-220-3 -55°C~150°C 650V

暂无价格 0 对比

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