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STP33N60M2  与  IPP60R125C6XKSA1  区别

型号 STP33N60M2 IPP60R125C6XKSA1
唯样编号 A-STP33N60M2 A-IPP60R125C6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 219W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2127pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 960uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 96nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 125 毫欧 @ 14.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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