STP33N60M2 与 IPP65R110CFD 区别
| 型号 | STP33N60M2 | IPP65R110CFD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP33N60M2 | A-IPP65R110CFD |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 110mΩ |
| 上升时间 | - | 11ns |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 277.8W |
| Qg-栅极电荷 | - | 118nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 68nS |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | - |
| 连续漏极电流Id | - | 31.2A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 6nS |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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AOT42S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 600V ±30V 37A 417W 109mΩ@21A,10V -55°C~150°C |
￥35.2728
|
549 | 对比 | ||||||||
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FCP104N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPP65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 31.2A 110mΩ 20V 277.8W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
AOTF42S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 39A 37.9W 99mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
FCP125N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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