STP4N52K3 与 IRFB812PBF 区别
| 型号 | STP4N52K3 | IRFB812PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP4N52K3 | A-IRFB812PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 | Single N-Channel 500 V 78 W 20 nC HexFet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.2Ω@2.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 78W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 3.6A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 810pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP4N52K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF820PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 50W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 500V 2.5A 3Ω |
暂无价格 | 46,200 | 对比 |
|
IRFB812PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.2Ω@2.2A,10V N-Channel 500V 3.6A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
