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STP4NK80Z  与  FQP3N80C  区别

型号 STP4NK80Z FQP3N80C
唯样编号 A-STP4NK80Z A3-FQP3N80C
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 107W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 107W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
连续漏极电流Id - 3A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 705pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 705pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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