STP60NF10 与 IRFB59N10DPBF 区别
| 型号 | STP60NF10 | IRFB59N10DPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP60NF10 | A-IRFB59N10DPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 25mΩ@35.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.8W(Ta),200W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 59A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 114nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2450pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 114nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP60NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF3710PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 23mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 57A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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AOT2910L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 2.1W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 6A |
￥3.8776
|
990 | 对比 | ||||||||||
|
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IRFB59N10DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
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IRF8010PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
PSMN027-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 103W 175°C 3V 100V 37A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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