STT6N3LLH6 与 DMG6402LVT-7 区别
| 型号 | STT6N3LLH6 | DMG6402LVT-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-STT6N3LLH6 | A36-DMG6402LVT-7 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 | Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 30mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 6.2ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.75W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 11.4nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1.5V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 13.9ns | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT | TSOT-26 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 6A | ||||||||
| 系列 | - | DMG6402 | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 498pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11.4nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 2.8ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.4ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 9,719 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,979 | 对比 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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