首页 > 商品目录 > > > > STU2N80K5代替型号比较

STU2N80K5  与  SIHU2N80E-GE3  区别

型号 STU2N80K5 SIHU2N80E-GE3
唯样编号 A-STU2N80K5 A3t-SIHU2N80E-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-251 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
连续漏极电流Id - 2.8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.75 Ohms @ 1A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 62.5W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STU2N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251

暂无价格 0 当前型号
FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

暂无价格 0 对比
FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

暂无价格 0 对比
FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

暂无价格 0 对比
SIHU2N80E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.8A(Tc) N-Channel 2.75 Ohms @ 1A,10V 62.5W(Tc) TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB -55°C~150°C 800V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售