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STW48N60DM2  与  SPW55N80C3  区别

型号 STW48N60DM2 SPW55N80C3
唯样编号 A-STW48N60DM2 A-SPW55N80C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 79mΩ@20A,10V 85mΩ@32.6A,10V
上升时间 - 21ns
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 500W
Qg-栅极电荷 - 288nC
栅极电压Vgs ±25V ±20V
典型关闭延迟时间 - 200ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 40A(Tc) 54.9A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - XPW55N80
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 45ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3250pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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