SUD40N10-25-E3 与 IRLR2908PBF 区别
| 型号 | SUD40N10-25-E3 | IRLR2908PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUD40N10-25-E3 | A-IRLR2908PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 0.025 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 25 mOhms @ 40A,10V | 28mΩ@23A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),136W(Tc) | 120W(Tc) |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 39A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1890pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 4.5V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1890pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD40N10-25-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 25 mOhms @ 40A,10V 3W(Ta),136W(Tc) TO-252 -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 12,500 | 对比 |
|
BUK7227-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 100V 48A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STD40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLR2908PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD2910E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 37A 71.5W 23mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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