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SUM50020EL-GE3  与  IRFS3006TRLPBF  区别

型号 SUM50020EL-GE3 IRFS3006TRLPBF
唯样编号 A-SUM50020EL-GE3 A-IRFS3006TRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ 2.5mΩ@170A,10V
漏源极电压Vds 1.2V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 375W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 270A
系列 TrenchFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11113pF @ 30V 8970pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 126nC @ 10V 300nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8970pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 300nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM50020EL-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRLS3036-7PPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK(7-Lead)

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-30BL_SOT404

¥17.1604 

阶梯数 价格
190: ¥17.1604
400: ¥13.4066
800: ¥12.1878
0 对比
IRFS7534TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRFS7730TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRFS3006TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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