SVD2955T4G 与 NTD2955T4G 区别
| 型号 | SVD2955T4G | NTD2955T4G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SVD2955T4G | A36-NTD2955T4G | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 60 V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 180mΩ@6A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 55W(Tj) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-2(DPAK) | DPAK | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A(Ta) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 750pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 750pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 16,880 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SVD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-2(DPAK) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
￥2.475
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16,880 | 对比 | ||||||||||
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STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.718
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1,930 | 对比 | ||||||||||
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IRFR9024NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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