TN2404K-T1-E3 与 RDR005N25TL 区别
| 型号 | TN2404K-T1-E3 | RDR005N25TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-TN2404K-T1-E3 | A-RDR005N25TL |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 240 V 4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 | MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 360mW(Ta) | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 540mW(Ta) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 240V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 70pF @ 25V |
| Vgs(th) | 2V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TSMT3 |
| 连续漏极电流Id | 200mA(Ta) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 8.8 欧姆 @ 250mA,10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 500mA(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 250V |
| 导通电阻Rds(On) | 4 Ohms @ 300mA,10V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 3.5nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TN2404K-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA(Ta) N-Channel 4 Ohms @ 300mA,10V 360mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 240V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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RDR005N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT3 |
￥0.6088
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315 | 对比 | ||||
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RDR005N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 79 | 对比 | ||||
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RDR005N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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RDR005N25TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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