TN2404K-T1-GE3 与 BSS131H6327XTSA1 区别
| 型号 | TN2404K-T1-GE3 | BSS131H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-TN2404K-T1-GE3 | A-BSS131H6327XTSA1 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | TN2404K Series 240 V 4 Ohm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-236-3 | MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 360mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4Ω@300mA,10V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 240V | - |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 360mW(Ta) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 77pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 200mA | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1.8V @ 56uA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 3.1nC @ 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 14 欧姆 @ 100mA,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 110mA(Ta) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 240V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 90 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TN2404K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 200mA 4Ω@300mA,10V 240V |
暂无价格 | 90 | 当前型号 | ||||
|
DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 310mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 300V 250mA(Ta) |
￥1.562
|
52 | 对比 | ||||
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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