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TP0610K-T1-GE3  与  NDS0605  区别

型号 TP0610K-T1-GE3 NDS0605
唯样编号 A-TP0610K-T1-GE3 A3-NDS0605
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Field Effect Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 350mW 360mW(Ta)
Qg-栅极电荷 1.7nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 35ns -
正向跨导 - 最小值 80mS -
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 185mA 0.18A
系列 TP0 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 23pF @ 25V 79pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.7nC @ 15V 2.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
典型接通延迟时间 20ns -
库存与单价
库存 34 27,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TP0610K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V

暂无价格 34 当前型号
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel

暂无价格 0 对比
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel

暂无价格 0 对比
NDS0605 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

180mA(Ta) ±20V 360mW(Ta) 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 P-Channel 60V 0.18A SOT-23-3

暂无价格 27,000 对比
NDS0610 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
BSS84 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比

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