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ZVN4106FTA  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 ZVN4106FTA BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A-ZVN4106FTA A-BSS138NH6327XTSA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 ZVN4106F Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5Ω@500mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 35pF @ 25V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZVN4106FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
NX7002AK,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX7002AK_TO-236AB

¥0.1806 

阶梯数 价格
10: ¥0.1806
100: ¥0.1338
1,000: ¥0.1037
1,500: ¥0.085
3,000: ¥0.0739
31,023 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

暂无价格 3,000 对比
SN7002N E6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 0 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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