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ZXM61N02FTA  与  BSS214NH6327XTSA1  区别

型号 ZXM61N02FTA BSS214NH6327XTSA1
唯样编号 A-ZXM61N02FTA A-BSS214NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXM61N02F 20 V 0.18 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@930mA,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 143pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 3.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.4nC @ 4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXM61N02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

暂无价格 100 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥2.3516 

阶梯数 价格
480: ¥2.3516
1,500: ¥1.4909
3,000: ¥1.1107
0 对比
IRLML2402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

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BSS214NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS214N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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