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ZXM61P02FTA  与  IRLML6302TRPBF  区别

型号 ZXM61P02FTA IRLML6302TRPBF
唯样编号 A-ZXM61P02FTA A3-IRLML6302TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 ZXM61P02F Series 20V 0.6 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23 Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@610mA,4.5V 600mΩ@610mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.9A 0.78A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 15V 97pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4.5V 3.6nC @ 4.45V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 97pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.6nC @ 4.45V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

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