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ZXM62P02E6TA  与  AO6415  区别

型号 ZXM62P02E6TA AO6415
唯样编号 A-ZXM62P02E6TA A-AO6415
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 37
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@1.6A,4.5V 82mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 100mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 140mΩ
Qgd(nC) - 0.9
栅极电压Vgs ±12V 12V
Td(on)(ns) - 11
封装/外壳 SOT-23 TSOP-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.3A -3.3A
Ciss(pF) - 325
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 6.1
Td(off)(ns) - 22 Ohms
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 1.25W
Qrr(nC) - 1.4
VGS(th) - -1.2
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 320pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.8nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 63
Qg*(nC) - 3.2
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.0256
100+ :  ¥0.8163
1,000+ :  ¥0.5882
1,500+ :  ¥0.5063
3,000+ :  ¥0.4
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
AO6415 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.0256 

阶梯数 价格
1: ¥1.0256
100: ¥0.8163
1,000: ¥0.5882
1,500: ¥0.5063
3,000: ¥0.4
3,000 对比
IRLMS6702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比

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