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ZXMN10A08GTA  与  BSP372NH6327XTSA1  区别

型号 ZXMN10A08GTA BSP372NH6327XTSA1
唯样编号 A-ZXMN10A08GTA A-BSP372NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@3.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 329pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 218uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14.3nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 230 毫欧 @ 1.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 当前型号
BSP372NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP372N H6327_TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 对比
BSP372N H6327 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP372NH6327XTSA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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