ZXMN20B28KTC 与 IRFR220NTRPBF 区别
| 型号 | ZXMN20B28KTC | IRFR220NTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-ZXMN20B28KTC | A-IRFR220NTRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 200 V 750 mO 8.1 nC Surface Mount Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 750mΩ@2.75A,10V | 600mΩ@2.9A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.2W(Ta) | 43W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.3A | 5A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 358pF @ 25V | 300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.1nC @ 5V | 23nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 300pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.2W(Ta) 750mΩ@2.75A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 200V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD5N20LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 20,000 | 对比 |
|
IRFR220NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
|
STD5N20LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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IRFR220NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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