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ZXMN2F30FHTA  与  IRLML2502GTRPBF  区别

型号 ZXMN2F30FHTA IRLML2502GTRPBF
唯样编号 A-ZXMN2F30FHTA A-IRLML2502GTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@2.5A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 452 pF @ 10 V 740pF @ 15V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.8 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.1A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 5V
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

暂无价格 100 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥4.0841 

阶梯数 价格
1: ¥4.0841
100: ¥2.1809
3,000: ¥1.5768
30 对比
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
IRLML2502GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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