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ZXMN6A08E6TA  与  ZXMN6A08E6QTA  区别

型号 ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6QTA
唯样编号 A-ZXMN6A08E6TA A-ZXMN6A08E6QTA
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.08 Ohm Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ@4.8A,10V 150mΩ
上升时间 - 2.1ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 8.8W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 12.3ns
正向跨导 - 最小值 - 6.6S
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-26-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.5A 2.5A
系列 - ZXMN6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 459pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.8nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 4.6ns
典型接通延迟时间 - 2.6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26-6

暂无价格 0 对比

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