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ZXMP6A13GTA  与  NDT2955  区别

型号 ZXMP6A13GTA NDT2955
唯样编号 A-ZXMP6A13GTA A-NDT2955
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMP6A13G Series 60 V 390 mOhm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@900mA,10V 300 毫欧 @ 2.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A 2.5A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 219pF @ 30V 601pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 10V 15nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 601pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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