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ZXMP6A17KTC  与  SPD18P06PGBTMA1  区别

型号 ZXMP6A17KTC SPD18P06PGBTMA1
唯样编号 A-ZXMP6A17KTC A-SPD18P06PGBTMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 80W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.11W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 125mΩ@2.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 637 pF @ 30 V 860pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.4A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 130 毫欧 @ 13.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
2,493 对比
SPD18P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
SPD18P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06PGBTMA1_6.5mm

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比

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