ZXMP6A18KTC 与 IRFR5305PBF 区别
| 型号 | ZXMP6A18KTC | IRFR5305PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-ZXMP6A18KTC | A-IRFR5305PBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252 | Single P-Channel 55 V 89 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55mΩ@3.5A,10V | 65mΩ@16A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.15W(Ta) | 110W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10.4A | 31A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1580pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 44nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFR5305TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
IRFR5305PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
65mΩ@16A,10V ±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) P-Channel 55V 31A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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