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2N7002KT1G  与  2N7002E-7-F  区别

型号 2N7002KT1G 2N7002E-7-F
唯样编号 A3-2N7002KT1G A3-2N7002E-7-F
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 370mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3Ω@250mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 50 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.22 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 320mA(Ta) 250mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 24.5pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24.5pF @ 20V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 65,423 210,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta)

暂无价格 65,423 当前型号
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 370mW 7.5Ω@50mA,5V -55°C~150°C ±20V 60V 115mA

暂无价格 4,092,000 对比
NX7002AK,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

TO-236AB N-Channel 0.265W -55°C~150°C ±20V 60V 0.3A

¥0.5995 

阶梯数 价格
90: ¥0.5995
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1695
3,000: ¥0.1349
490,132 对比
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23

¥0.6314 

阶梯数 价格
80: ¥0.6314
200: ¥0.2865
1,500: ¥0.18
3,000: ¥0.1425
436,956 对比
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

暂无价格 264,000 对比
2N7002E-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) SOT-23

暂无价格 210,000 对比

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