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AOD442  与  IPD30N06S2-23  区别

型号 AOD442 IPD30N06S2-23
唯样编号 A3-AOD442 A-IPD30N06S2-23
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 116 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 23mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 25mΩ -
Qgd(nC) 14.4 -
栅极电压Vgs 20V 2.1V,4V
Td(on)(ns) 7.4 -
封装/外壳 TO-252 PG-TO252-3-11
连续漏极电流Id 38A 30A
Ciss(pF) 1920 -
QG (typ @10V) - 25.0 nC
Ptot max - 100.0W
Schottky Diode No -
Trr(ns) 3 -
Budgetary Price €€/1k - 0.25
Td(off)(ns) 28.2 -
漏源极电压Vds 60V 55V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 60W -
Qrr(nC) 46 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
RthJC max - 1.5 K/W
Coss(pF) 155 -
Qg*(nC) 24.2 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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