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BSS123-7-F  与  BSS119NH6327XTSA1  区别

型号 BSS123-7-F BSS119NH6327XTSA1
唯样编号 A3-BSS123-7-F A-BSS119NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@170mA,10V -
上升时间 8ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 20.9pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 0.08S -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 170mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.9mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6 欧姆 @ 190mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 8ns -
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 300mW -
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 13uA
系列 BSS123 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 190mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
典型接通延迟时间 8ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB

¥0.4558 

阶梯数 价格
10: ¥0.4558
100: ¥0.3376
1,000: ¥0.2617
1,500: ¥0.2145
3,000: ¥0.1898
15,134 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 3,000 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23

¥1.7303 

阶梯数 价格
590: ¥1.7303
1,000: ¥1.3413
1,500: ¥1.0994
3,000: ¥1.0086
0 对比
BSS119N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS119NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 0 对比
BSS119NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS119N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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