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BSS127S-7  与  BSS126IXTSA1  区别

型号 BSS127S-7 BSS126IXTSA1
唯样编号 A3-BSS127S-7 A-BSS126IXTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 160Ω -
上升时间 7.2ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21pF @ 25V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 70mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 5V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 500 欧姆 @ 16mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
下降时间 168ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 1.25W -
典型关闭延迟时间 28.7ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.6V @ 8uA
系列 BSS127 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 21.8pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.08nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 600V
典型接通延迟时间 5ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.3682
15,000+ :  ¥0.3409
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS127S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.3682 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3682
15,000: ¥0.3409
0 当前型号
BSS127SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS126IXTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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