DMG2302UK-7 与 FDN335N 区别
| 型号 | DMG2302UK-7 | FDN335N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMG2302UK-7 | A-FDN335N-2 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET |
| 描述 | DMG2302UK Series 20 V 2.8 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@3.6A,4.5V | - |
| 上升时间 | 2.7ns | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 660mW | - |
| Qg-栅极电荷 | 1.4nC | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 4.2ns | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 2.8A | - |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101 | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 130pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.8nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - |
| 下降时间 | 1.7ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 0.6ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.8A 660mW 90mΩ@3.6A,4.5V 20V ±12V N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 车规 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||
|
FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
|
SI2302A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.1473
|
3,000 | 对比 | ||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
SI2302A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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