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DMG2305UXQ-7  与  IRLML6402GTRPBF  区别

型号 DMG2305UXQ-7 IRLML6402GTRPBF
唯样编号 A3-DMG2305UXQ-7 A-IRLML6402GTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ -
上升时间 13.7ns -
Qg-栅极电荷 10.2nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 633pF @ 10V
栅极电压Vgs 500mV -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 5V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
下降时间 34.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 808pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 1.4W -
典型关闭延迟时间 79.3ns -
FET类型 - P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250uA
系列 DMG230 -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.7A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
典型接通延迟时间 10.8ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.3033
15,000+ :  ¥0.2808
暂无价格
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