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DMG3418L-7  与  FDN337N  区别

型号 DMG3418L-7 FDN337N
唯样编号 A3-DMG3418L-7 A36-FDN337N
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.4W(Ta) 500mW(Ta)
功率 - 500mW(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 2.2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 464.3pF @ 15V 300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V 9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 2.5V,4.5V
导通电阻Rds(On) 60mΩ@4A,10V 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,000 1,546
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.2116
200+ :  ¥0.9334
1,500+ :  ¥0.8112
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A

暂无价格 3,000 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.6435 

阶梯数 价格
80: ¥0.6435
200: ¥0.416
1,500: ¥0.3614
3,000: ¥0.3185
152,639 对比
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

¥0.8437 

阶梯数 价格
60: ¥0.8437
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
20,707 对比
AO3434A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V

¥0.832 

阶梯数 价格
70: ¥0.832
200: ¥0.5746
1,500: ¥0.5213
3,000: ¥0.4875
8,105 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.2116 

阶梯数 价格
50: ¥1.2116
200: ¥0.9334
1,500: ¥0.8112
1,546 对比

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