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DMG4407SSS-13  与  BSO130P03SHXUMA1  区别

型号 DMG4407SSS-13 BSO130P03SHXUMA1
唯样编号 A3-DMG4407SSS-13 A-BSO130P03SHXUMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@12A,20V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.45W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3520pF @ 25V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.9A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 140uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 81nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2246pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 13 毫欧 @ 11.7A,10V
Vgs(最大值) - ±25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 12,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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