DMG4466SSS-13 与 FDS8884 区别
| 型号 | DMG4466SSS-13 | FDS8884 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMG4466SSS-13 | A-FDS8884 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33mΩ | 23m Ohms@8.5A,10V |
| 上升时间 | 7.9ns | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.42W | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | 25V | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | 14.6ns | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10A | 8.5A |
| 系列 | DMG4466 | PowerTrench® |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 478.9pF @ 15V | 635pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 10V | 13nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 3.1ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 2.9ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
|
AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.6031
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
