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DMN10H099SK3-13  与  IRFR3910PBF  区别

型号 DMN10H099SK3-13 IRFR3910PBF
唯样编号 A3-DMN10H099SK3-13 A-IRFR3910PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ@3.3A,10V 115mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 34W(Tc) 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 16A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1172pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.2nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥1.4011
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