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DMN2056U-7  与  IRLML2502GTRPBF  区别

型号 DMN2056U-7 IRLML2502GTRPBF
唯样编号 A3-DMN2056U-7 A-IRLML2502GTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 38m Ohms@3.6A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 940mW -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 15V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 4A(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 339pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 47,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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