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DMN2075U-7  与  IRLML6246TRPBF  区别

型号 DMN2075U-7 IRLML6246TRPBF
唯样编号 A3-DMN2075U-7 A-IRLML6246TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ 46mΩ@4.1A,4.5V
上升时间 9.8ns -
栅极电压Vgs 8V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.1A
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 6.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 5µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 16V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 800mW 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 28.1ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN2075 HEXFET®
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.1V @ 5µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 594.3pF @ 10V 290pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 4.5V 3.5nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 7.4ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 52,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 当前型号
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3,000: ¥0.88
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暂无价格 100 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥4.0841 

阶梯数 价格
1: ¥4.0841
100: ¥2.1809
3,000: ¥1.5768
30 对比
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IRLML2502GPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

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