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DMN2300U-7  与  BSS214NH6327XTSA1  区别

型号 DMN2300U-7 BSS214NH6327XTSA1
唯样编号 A3-DMN2300U-7 A-BSS214NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 175mΩ -
上升时间 2.8ns -
Qg-栅极电荷 1.6nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 143pF @ 10V
栅极电压Vgs 450mV -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.4A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 5V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
下降时间 13ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 0.55W -
典型关闭延迟时间 38ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 3.7uA
系列 DMN22 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.6nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
典型接通延迟时间 3.5ns -
库存与单价
库存 75,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
480: ¥2.3516
1,500: ¥1.4909
3,000: ¥1.1107
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BSS214N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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