DMN2300U-7 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | DMN2300U-7 | RUR020N02TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-DMN2300U-7 | A33-RUR020N02TL-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 175mΩ | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||
| 上升时间 | 2.8ns | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.55W | 540mW(Ta) | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 1.6nC | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 450mV | ±10V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 38ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.4A | 2A | ||||||||||||||
| 系列 | DMN22 | - | ||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 950mV @ 250µA | 1V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 64.3pF @ 25V | 180pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.6nC @ 4.5V | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||
| 下降时间 | 13ns | - | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.5ns | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 8,822 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.4A 0.55W 175mΩ 20V 450mV |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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8,822 | 对比 | ||||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥4.408
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1,411 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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423 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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