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DMN3007LSS-13  与  IRF7842PBF  区别

型号 DMN3007LSS-13 IRF7842PBF
唯样编号 A3-DMN3007LSS-13 A-IRF7842PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 40 V 2.5 W 33 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@15A,10V 5mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 30V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 18A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2714pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 64.2nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4500pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

暂无价格 0 当前型号
IRF7842PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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BSO083N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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