DMN3026LVT-7 与 AO6402A 区别
| 型号 | DMN3026LVT-7 | AO6402A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN3026LVT-7 | A36-AO6402A-1 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 27mΩ@7A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) | 2W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 23mΩ@6.5A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 643 pF @ 15 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.5 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 6.6A(Ta) | 7.5A |
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 17 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 6.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
¥1.0604
|
6,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
¥1.551
|
609 | 对比 | ||||||||||
|
AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 17 | 对比 | ||||||||||
|
IRFTS8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 19mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 8.2A 30V 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |