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DMN3067LW-7  与  AO7410  区别

型号 DMN3067LW-7 AO7410
唯样编号 A3-DMN3067LW-7 A-AO7410
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
Rds On(Max)@Id,Vgs 67mΩ@2.5A,4.5V 55mΩ@10V
上升时间 5.2ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qg-栅极电荷 4.6nC -
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±12V 12V
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 SOT-323 SC70-3
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 2.6A 1.7A
Ciss(pF) - 235
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 6.1ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 17.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 0.35W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
典型关闭延迟时间 15ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN3067 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 447pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 3.8ns -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 25,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.1039
100+ :  ¥0.7122
1,000+ :  ¥0.5276
1,500+ :  ¥0.4396
3,000+ :  ¥0.3435
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥1.1039 

阶梯数 价格
1: ¥1.1039
100: ¥0.7122
1,000: ¥0.5276
1,500: ¥0.4396
3,000: ¥0.3435
25,000 当前型号
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
1,500: ¥1.9066
3,000: ¥1.4204
100 对比
AO7400 AOS  数据手册 小信号MOSFET

SC70-3

暂无价格 0 对比
AO7410 AOS  数据手册 小信号MOSFET

SC70-3

暂无价格 0 对比
DMN3067LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比

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